DTB結(jié)晶器是一種晶漿內(nèi)循環(huán)結(jié)晶器，其典型特點是結(jié)晶器內(nèi)部有攪拌器、導(dǎo)管和擋板，還有配套的熱交換裝置和細(xì)晶消除裝置。晶漿液從內(nèi)導(dǎo)流板底部通過內(nèi)置攪拌器上升，直到液面接觸到過飽和度較大的區(qū)域并消耗過飽和度。它還沿著內(nèi)部和外部導(dǎo)流筒之間的環(huán)形區(qū)域下降。在結(jié)晶器筒體與外偏轉(zhuǎn)器之間的環(huán)形間隙處，晶漿與澄清液分離，晶漿繼續(xù)向下循環(huán)。澄清后的液體從外環(huán)進(jìn)入細(xì)晶消除裝置，溶解多余的細(xì)晶核，保證晶核不會過多，使晶體粒度分布更均勻。
 

　　DTB結(jié)晶器在蒸發(fā)結(jié)晶過程中，過飽和的產(chǎn)生速度取決于蒸發(fā)速度，即設(shè)備的蒸發(fā)強(qiáng)度。蒸發(fā)強(qiáng)度越大，產(chǎn)生過飽和的速度就越快，過飽和的可能性就越大。過飽和度的消除主要取決于晶體的自發(fā)成核和生長。如果結(jié)晶器內(nèi)有足夠的晶面和較快的生長速度，蒸發(fā)引起的所有過飽和度都能在晶面上生長，溶液的過飽和度不會超過溶液的較大過飽和度。通過成核過程消除溶質(zhì)的程度，以消除過飽和度，以免產(chǎn)生大量晶核。

　　如果溶液中的晶面不足，晶體的生長不足以消除因蒸發(fā)引起的過飽和，使溶液過飽和度過高，而在不穩(wěn)定區(qū)域，溶液過飽和度會降低自發(fā)成核過程消耗過飽和度，從而形成大量細(xì)小顆粒。因此，在蒸發(fā)結(jié)晶過程中需要控制蒸發(fā)強(qiáng)度，使結(jié)晶體系的過飽和度始終處于結(jié)晶亞穩(wěn)區(qū)內(nèi)，以保證設(shè)計的蒸發(fā)結(jié)晶設(shè)備能生產(chǎn)出滿足設(shè)計任務(wù)的產(chǎn)品。晶體在生長區(qū)停留時間越長，晶體生長時間越長，晶粒越大。大尺寸晶體的形成需要足夠的生長時間。基于準(zhǔn)確的結(jié)晶動力學(xué)數(shù)據(jù)，我們將根據(jù)設(shè)計任務(wù)中所需的晶體生長速度和粒度來設(shè)計合適的DTB結(jié)晶器。